Nā ʻElemene Hoʻomehana Silicon Carbide: Nā Hoʻokaʻawale ʻAno a me nā Hiki Hoʻopilikino

Nā mea hoʻomehana Silicon carbide (SiC)he mea nui ia no nā noi ʻoihana wela kiʻekiʻe, i mahalo ʻia no ke kūpaʻa wela maikaʻi loa, ka pono o ka ikehu, a me ke ola lawelawe lōʻihi. Hoʻopilikia pololei ko lākou ʻano i ka launa pū ʻana me nā hoʻolālā umu a me nā koi hoʻomehana. Ma waho aʻe o nā ʻaoʻao maʻamau, hōʻoia ka hoʻopilikino ʻana i hana ʻia i ka hoʻohui maʻalahi i nā hoʻonohonoho ʻoihana kūikawā. Hōʻike kēia ʻatikala i nā hoʻonohonoho koʻikoʻi a me nā hiki ke hoʻopilikino maʻalahi e kōkua iā ʻoe e koho i ka hopena hoʻomehana wela kiʻekiʻe kūpono.

Nā ʻAno Koʻikoʻi o nā Mea Hoʻomehana Silicon Carbide
Hana ʻia nā mea hoʻomehana SiC i nā ʻano maʻamau he nui, ua hana ʻia kēlā me kēia no nā hiʻohiʻona hana i hoʻolaʻa ʻia:
1. Nā koʻokoʻo SiC i wili ʻia:ʻO ke ʻano i hoʻohana nui ʻia, me nā hoʻopau wili no ke kau ʻana me ka palekana. Hāʻawi ka hoʻolālā laina pololei i ka hoʻolaha like ʻana o ka wela, kūpono no nā umu tunnel, nā umu roller, a me nā umu mālama wela. Anawaena inoa: 12–60 mm, hiki ke hoʻohana ʻia a hiki i 1800 mm, ka mahana hana kiʻekiʻe loa 1625 ℃.
2. Nā ʻElemene SiC ʻAno U:Kūlou ʻia i loko o kahi hoʻonohonoho U e mālama i ka wahi hoʻokomo a hoʻomaikaʻi i ka pono o ka radiation. Hoʻokomo pinepine ʻia i luna i loko o nā umu pahu, nā umu muffle, a me nā umu hoʻokolohua. Ka radius kūlou: 50–200 mm, hiki ke hoʻololi ʻia i nā ana o loko o ke keʻena like ʻole.
3. Nā ʻElemene SiC ʻAno W:Hōʻike i kahi ʻaoʻao W-bend ʻekolu, e hāʻawi ana i kahi ʻili hoʻomehana nui no ka hoʻomehana wikiwiki a me ka ikaika wela kiʻekiʻe. Hoʻohana ʻia i loko o nā umu nui e like me nā umu hoʻoheheʻe aniani a me nā umu sintering seramika. ʻO ka lōʻihi holoʻokoʻa a hiki i 3000 mm no ka mahana o ke keʻena kūlike.
4. Nā Koʻokoʻo SiC ʻAno Pū:Hoʻolālā ʻia me kahi ʻano pū a me ka ʻāpana wela i hoʻolōʻihi ʻia no ka hoʻomehana kūloko, e like me ka mālama wela hapa o nā ʻāpana metala a me ka hoʻomehana kiko i loko o nā umu liʻiliʻi. Hoʻemi i ka nalowale o ka wela, me ka mahana hana kiʻekiʻe loa o 1600℃.
5. Nā ʻElemene SiC ʻAno Puka:Hana ʻia i loko o kahi ʻano puka-puka, e hāʻawi ana i nā wahi hoʻomehana ākea a kaulike. Kūpono no nā umu huki a me nā umu lua, me ke kau ʻana maʻalahi me ka ʻole o nā mea paʻakikī, hoʻohana nui ʻia i ka sintering batch o nā ʻāpana uila.
6. Nā koʻokoʻo SiC ʻākau-kihi:Kūkulu ʻia me kahi kūlou 90° no nā wahi paʻa a me nā hoʻonohonoho hoʻonohonoho kihi, e like me nā keʻena i hoʻopili ʻia a me nā ʻāpana kihi i loko o nā umu hoʻokolohua liʻiliʻi. Hōʻoia ka sintering i hoʻohui ʻia i ke kūpaʻa o ka hoʻonohonoho ʻana, me ke anawaena maʻamau 10-40 mm.
7. Nā koʻokoʻo SiC ʻoi loa:I hoʻolako ʻia me nā wēlau anu i hoʻonui ʻia me ke kūpaʻa haʻahaʻa a me ka hoʻopuehu wela i hoʻomaikaʻi ʻia, e pale ana i nā kikowaena uila mai ka pōʻino wela. Kūpono no nā umu wela kiʻekiʻe lōʻihi e like me nā umu wili keramika a me nā umu annealing aniani, me ke ola lawelawe ma mua o 20% ʻoi aku ka lōʻihi ma mua o nā ʻano maʻamau.
8. Nā koʻokoʻo SiC like-diameter:ʻO ke anawaena ʻāpana kūlike ma ka lōʻihi holoʻokoʻa, e hāʻawi ana i ka hoʻomehana piha piha. Makemake ʻia no nā noi kikoʻī e pili ana i ka hoʻomehana hale hana a me nā umu synthesis mea semiconductor. Hoʻomalu ʻia ke anawaena ma ±0.2 mm no ke ʻano like kiʻekiʻe.